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儀器相關資料

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計畫主持人: 吳肇欣 所屬單位: 電機資訊學院 電機工程學系
儀器名稱 英文: Foscused Ion Beam Dual Beam System
中文: 聚焦離字束/電子束雙束系統
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放置地點 電機二館129室
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姓名電話email
吳肇欣33663694 chaohsinwu@ntu.edu.tw
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可否提供
校外服務
使用方式

儀器基本規格 •Applications: FIB, SEM •Beam Voltage:  Electrons : 200V to 30 kV SEM  Ions : 2kV to 30kV FIB •Electron Source: Schottky Thermal Field Emitter •Image Resolution @ optimum WD (High vacuum):  1.1nm @ 15kV (TLD-SE)  2.5nm @ 1kV (TLD-SE)  1.0nm @ 30kV(STEM) •Gas Injectors:  Enhanced Etch  Insulator Enhanced Etch  Platinum Deposition  Insulator Deposition
儀器功能描述 FIB是Focused Ion Beam的縮寫,中文為聚焦離子束,大部分的離子槍是將鎵(Ga)元素離子化成Ga+,然後利用電場加速,再利用電場透鏡聚焦,將高能量的Ga+聚焦在固定的一點。其基本原理與掃描式電子顯微鏡類似,只是將電子換成離子,因荷質比的不同,聚焦透鏡由電磁透鏡換成電場透鏡。聚焦離字束/電子束雙束系統兼具掃描式電子顯微鏡(電子束影像解析度1.1nm@15 kV、2.5nm@1kV、放大倍率55到500k)及聚焦離子束(離子束影像解析度7nm)的功能。可邊看邊切。最小蝕刻線寬 (離子束在矽材料上蝕刻) : 15nm。最小沉積線寬離子束白金沉積50nm,電子束白金沉積20nm。搭配INCA Energy System 250相關附件可做定性或半定量化學分析,搭配Quorum Cryo Transfer System真空冷凍切片技術可做生物樣品的檢測分析。搭配Auto Slice and View相關附件可做三維影像重建。搭配Three-axis Micromanipulators相關附件可做奈米結構電性量測。還有選配輔助氣體增強蝕刻效果及絕緣層和白金層沉積。
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服務項目及收費標準
服務項目時段[院內]以次[院內]會費[院內]時段[校內]以次[校內]會費[校內]時段[校外]以次[校外]會費[校外]
自行操作 1000────────1000────────1000────────
委託操作 1250────────1250────────1250────────
 

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